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晶体取向对单晶铝磁致塑性的影响

来源期刊:上海金属2020年第1期

论文作者:姬鹏云 王均安 任忠鸣 王江 张园锋

文章页码:33 - 39

关键词:单晶铝;晶体取向;滑移带;位错;磁致塑性;

摘    要:在静磁场中对单晶铝进行了沿<100>、<110>和<111>晶向的拉伸试验,目的是揭示晶体取向对其磁致塑性的影响。结果表明:与无磁场拉伸试验相比,在磁场中拉伸的单晶铝断后伸长率增加,且晶体取向影响其增幅。磁场的作用机制为:增加滑移带数量,使位错在更多的滑移面上运动,降低位错的塞积程度和减弱位错间的交互作用,这有利于晶体更充分地变形。此外,沿不同晶向拉伸的试样中位错林密度不同,从而阻碍了可动位错的运动,导致磁致塑性的差异。静磁场能改变弱顺磁性障碍与位错构成的钉扎中心的电子自旋状态,降低位错势垒,使位错更易运动。

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晶体取向对单晶铝磁致塑性的影响

姬鹏云,王均安,任忠鸣,王江,张园锋

上海大学材料科学与工程学院

摘 要:在静磁场中对单晶铝进行了沿<100>、<110>和<111>晶向的拉伸试验,目的是揭示晶体取向对其磁致塑性的影响。结果表明:与无磁场拉伸试验相比,在磁场中拉伸的单晶铝断后伸长率增加,且晶体取向影响其增幅。磁场的作用机制为:增加滑移带数量,使位错在更多的滑移面上运动,降低位错的塞积程度和减弱位错间的交互作用,这有利于晶体更充分地变形。此外,沿不同晶向拉伸的试样中位错林密度不同,从而阻碍了可动位错的运动,导致磁致塑性的差异。静磁场能改变弱顺磁性障碍与位错构成的钉扎中心的电子自旋状态,降低位错势垒,使位错更易运动。

关键词:单晶铝;晶体取向;滑移带;位错;磁致塑性;

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