Ti3SiC2掺杂MgB2块体的超导性研究（英文）
来源期刊：稀有金属材料与工程2012年第7期
论文作者：单迪 闫果 周廉 李成山 王庆阳 张胜楠 熊晓梅 刘国庆
文章页码：1135 - 1138
关键词：MgB2块体;Ti3SiC2掺杂;超导性;
摘 要：研究了Ti3SiC2掺杂对MgB2的晶格参数（a）、微观结构、超导转变温度（Tc）和临界电流密度（Jc）的影响。随着Ti3SiC2掺杂量的增加,晶格参数a逐渐变小,表明了C进入晶格代替B位的发生。随着掺杂量的增加,超导转变温度Tc从37.15K降低到36.55K。利用Bean模型通过M-H磁滞回线计算了样品的Jc值。结果表明,在低场区域,未掺杂样品的Jc值高于Ti3SiC2掺杂样品的Jc值。然而随着磁场的进一步增大,适量掺杂的样品Jc值得到提高。
单迪1,2，闫果2，周廉1,2，李成山2，王庆阳2，张胜楠2，熊晓梅2，刘国庆2
1. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室2. 西北有色金属研究院
摘 要：研究了Ti3SiC2掺杂对MgB2的晶格参数（a）、微观结构、超导转变温度（Tc）和临界电流密度（Jc）的影响。随着Ti3SiC2掺杂量的增加,晶格参数a逐渐变小,表明了C进入晶格代替B位的发生。随着掺杂量的增加,超导转变温度Tc从37.15K降低到36.55K。利用Bean模型通过M-H磁滞回线计算了样品的Jc值。结果表明,在低场区域,未掺杂样品的Jc值高于Ti3SiC2掺杂样品的Jc值。然而随着磁场的进一步增大,适量掺杂的样品Jc值得到提高。
关键词：MgB2块体;Ti3SiC2掺杂;超导性;
