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Ti3SiC2掺杂MgB2块体的超导性研究(英文)

来源期刊:稀有金属材料与工程2012年第7期

论文作者:单迪 闫果 周廉 李成山 王庆阳 张胜楠 熊晓梅 刘国庆

文章页码:1135 - 1138

关键词:MgB2块体;Ti3SiC2掺杂;超导性;

摘    要:研究了Ti3SiC2掺杂对MgB2的晶格参数(a)、微观结构、超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)的影响。随着Ti3SiC2掺杂量的增加,晶格参数a逐渐变小,表明了C进入晶格代替B位的发生。随着掺杂量的增加,超导转变温度Tc从37.15K降低到36.55K。利用Bean模型通过M-H磁滞回线计算了样品的Jc值。结果表明,在低场区域,未掺杂样品的Jc值高于Ti3SiC2掺杂样品的Jc值。然而随着磁场的进一步增大,适量掺杂的样品Jc值得到提高。

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Ti3SiC2掺杂MgB2块体的超导性研究(英文)

单迪1,2,闫果2,周廉1,2,李成山2,王庆阳2,张胜楠2,熊晓梅2,刘国庆2

1. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室2. 西北有色金属研究院

摘 要:研究了Ti3SiC2掺杂对MgB2的晶格参数(a)、微观结构、超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)的影响。随着Ti3SiC2掺杂量的增加,晶格参数a逐渐变小,表明了C进入晶格代替B位的发生。随着掺杂量的增加,超导转变温度Tc从37.15K降低到36.55K。利用Bean模型通过M-H磁滞回线计算了样品的Jc值。结果表明,在低场区域,未掺杂样品的Jc值高于Ti3SiC2掺杂样品的Jc值。然而随着磁场的进一步增大,适量掺杂的样品Jc值得到提高。

关键词:MgB2块体;Ti3SiC2掺杂;超导性;

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