N-polar GaN基HEMT准二维电荷传输模型仿真

来源期刊：材料导报2016年第6期

论文作者：王现彬 赵正平

文章页码：133 - 136

关键词：N极性;高电子迁移率晶体管;极化效应;直流特性;

摘    要：建立了氮极性（N-polar）GaN基HEMT器件的准二维（Quasi-2-D）电荷传输模型,仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性。仿真结果表明,不同的极化效应会对输出特性曲线和转移特性曲线产生不同的影响,考虑自发极化效应（Psp）+压电极化效应（Ppe）、只考虑Ppe和只考虑Psp三种情况下的阈值电压分别为:-3.96V、-2.29V和-2.47V,而其对应的峰值跨导则分别为44mS/mm、41.2mS/mm和41.3mS/mm。该模型为N-polar GaN基HEMT器件仿真提供了理论参考。