衬底离子束表面氮化对ZnO薄膜性质的影响
来源期刊：材料导报2006年第7期
论文作者：姚若河 丁瑞钦 吴桐庆 朱慧群
关键词：射频磁控溅射; ZnO薄膜; 离子束轰击; 衬底表面氮化;
摘 要：采用射频磁控溅射法在抛光硅片上沉积了一系列ZnO薄膜样品.通过对薄膜样品X射线衍射谱的分析、原子力显微图的观察、吸收光谱和荧光光谱的研究,发现Si衬底的离子束表面氮化对ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质有重要影响.在衬底温度为200℃、高纯氩氧比例为3:1、压强为1.5Pa的条件下,在经离子束表面氮化预处理的Si衬底上溅射沉积的ZnO薄膜,经450℃真空退火,成为高(0002)晶面取向的ZnO薄膜,并具有良好的光学性质.
姚若河1，丁瑞钦2，吴桐庆1，朱慧群2
(1.华南理工大学物理科学与技术学院,广州,510641;
2.五邑大学薄膜与纳米材料研究所,江门,529020)
摘要:采用射频磁控溅射法在抛光硅片上沉积了一系列ZnO薄膜样品.通过对薄膜样品X射线衍射谱的分析、原子力显微图的观察、吸收光谱和荧光光谱的研究,发现Si衬底的离子束表面氮化对ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质有重要影响.在衬底温度为200℃、高纯氩氧比例为3:1、压强为1.5Pa的条件下,在经离子束表面氮化预处理的Si衬底上溅射沉积的ZnO薄膜,经450℃真空退火,成为高(0002)晶面取向的ZnO薄膜,并具有良好的光学性质.
关键词:射频磁控溅射; ZnO薄膜; 离子束轰击; 衬底表面氮化;
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