利用康普顿散射分析碳化硅陶瓷在高温下使用氧化后组成的变化

来源期刊：理化检验-化学分册2012年第1期

论文作者：申如香 卓尚军 盛成 钱荣

文章页码：1 - 10

关键词：康普顿散射;波长色散X射线荧光光谱仪;平均原子序数;碳化硅陶瓷;

摘    要：用波长色散X射线荧光光谱仪,通过测量散射体（样品）对铑的康普顿散射线（RhKα-C）强度的变化,实现了碳化硅陶瓷在高温下使用时氧化情况的监控。用一套8只碳化硅校准样品建立了康普顿散射强度与样品平均原子序数之间关系的数学模型。利用此模型计算了碳化硅氧化后组成含量的变化。结果表明:用此方法测得的样品中碳、硅及氧的相对含量与X射线光电子能谱法所测结果相符,两者间的相对偏差均小于1%。据此认为,此方法所测得的数据是可以接受的。