磁控溅射法制备Cu₂ZnSnS₄薄膜及其性能表征

来源期刊：材料热处理学报2015年第6期

论文作者：华中 孟祥成 孙亚明 于万秋 龙东 张守琪

文章页码：202 - 205

关键词：Cu2ZnSnS4;磁控溅射;硫化;薄膜;

摘    要：利用磁控溅射法将Cu/Sn/Zn S前驱体沉积在钙钠玻璃基片上,再通过硫化该前驱体制备Cu2ZnSnS4薄膜。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、能谱仪、霍尔效应测量系统和紫外可见分光光度计研究了Cu2ZnSnS4薄膜的微观结构、表面形貌、化学成分、电学和光学性能。结果表明,CZTS薄膜的微观结构依赖于硫化温度和时间。在480℃硫化3 h的薄膜为沿（112）晶面择优取向生长的纯相CZTS薄膜,该薄膜的禁带宽度是1.51 e V,其电阻率和载流子浓度分别为0.39Ω·cm和4.07×1017cm-3。