Cl2/Ar感应耦合等离子体刻蚀InP工艺研究
来源期刊：功能材料与器件学报2005年第3期
论文作者：李晓良 朱海波
关键词：干法刻蚀; 感应耦合等离子体; InP; 刻蚀速率; 粗糙度;
摘 要：采用Cl2/Ar感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀.讨论了直流自偏压、ICP功率、气体总流量和气体组分等因素对刻蚀速率和粗糙度的影响.结果表明Cl2/Ar气体组分是决定刻蚀效果的重要因素.当Cl2含量为30%左右时,刻蚀中的物理溅射与化学反应过程趋于平衡,刻蚀速率处于峰值区,同时刻蚀粗糙度也可达到最小值.SEM照片显示刻蚀表面光洁,侧壁陡直.
李晓良1，朱海波1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;
2.中国科学院研究生院,北京,100039)
摘要:采用Cl2/Ar感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀.讨论了直流自偏压、ICP功率、气体总流量和气体组分等因素对刻蚀速率和粗糙度的影响.结果表明Cl2/Ar气体组分是决定刻蚀效果的重要因素.当Cl2含量为30%左右时,刻蚀中的物理溅射与化学反应过程趋于平衡,刻蚀速率处于峰值区,同时刻蚀粗糙度也可达到最小值.SEM照片显示刻蚀表面光洁,侧壁陡直.
关键词:干法刻蚀; 感应耦合等离子体; InP; 刻蚀速率; 粗糙度;
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