一种氧离子注入诱生缺陷的TEM表征
来源期刊：材料导报2009年增刊第1期
论文作者：刘东明 颜秀文 胡刚
关键词：晶体缺陷; 离子注入; 位错; 透射电子显微镜; crystalline defects; ion implantation; dislocation; transmission electron microscope;
摘 要：在利用氧离子注入工艺制备SOI材料的过程中,发现了一种"纳米网状"的结构缺陷.利用透射电镜、选区电子衍射和能谱分析对该缺陷进行了研究.结果表明,该缺陷呈网状,化学成分为硅和氧.初步研究认为,氧离子注入硅中所产生的穿通位错是形成该类缺陷的主要原因.
刘东明1，颜秀文1，胡刚2
(1.中国电子科技集团第48研究所,长沙,410111;
2.复旦大学材料科学系,上海,200433)
摘要:在利用氧离子注入工艺制备SOI材料的过程中,发现了一种"纳米网状"的结构缺陷.利用透射电镜、选区电子衍射和能谱分析对该缺陷进行了研究.结果表明,该缺陷呈网状,化学成分为硅和氧.初步研究认为,氧离子注入硅中所产生的穿通位错是形成该类缺陷的主要原因.
关键词:晶体缺陷; 离子注入; 位错; 透射电子显微镜; crystalline defects; ion implantation; dislocation; transmission electron microscope;
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