TOPO修饰电极电位溶出法测定水中Sb(Ⅲ)
来源期刊：分析试验室1988年第3期
论文作者：方禹之 韦茹 何品刚 金利通
文章页码：1 - 5
摘 要：本文提出了TOPO化学修饰电极电位溶出分析法,研究了电极的修饰过程以及测定水中痕量锑的实验条件,探讨了修饰电极的作用机理,认为电极性能的改善主要是由电极表面上膜的络合吸附性所决定的。制作的修饰电极重复性好、灵敏度高。方法的变异系数为4.4％,Sb（Ⅲ）的检测下限为4×10-9mol/L。
方禹之，韦茹，何品刚，金利通
华东师范大学化学系
摘 要：本文提出了TOPO化学修饰电极电位溶出分析法,研究了电极的修饰过程以及测定水中痕量锑的实验条件,探讨了修饰电极的作用机理,认为电极性能的改善主要是由电极表面上膜的络合吸附性所决定的。制作的修饰电极重复性好、灵敏度高。方法的变异系数为4.4％,Sb（Ⅲ）的检测下限为4×10-9mol/L。
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