张应变GaAs层引入使InAs/InP量子点有序化排列的机理研究
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第4期
论文作者：杜国同 李献杰 殷景志 张树人 王新强
关键词：自组装量子点; 有序生长; 张应变GaAs层; Self-assembled quantum dots; Ordering growth; Tensile strained GaAs layer;
摘 要：采用LP-MOVPE技术,在(001)InP衬底上生长的InAs /InP自组装量子点是无序的.为了解决这个问题,在InP衬底上先生长张应变的GaAs层,然后再生长InAs层,可得到有序化排列的量子点.本文对张应变GaAs层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析.为生长有序化、高密度、均匀性好自组装量子点提供了依据.
杜国同1，李献杰1，殷景志1，张树人1，王新强1
(1.吉林大学电子工程系,长春,130012)
摘要:采用LP-MOVPE技术,在(001)InP衬底上生长的InAs /InP自组装量子点是无序的.为了解决这个问题,在InP衬底上先生长张应变的GaAs层,然后再生长InAs层,可得到有序化排列的量子点.本文对张应变GaAs层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析.为生长有序化、高密度、均匀性好自组装量子点提供了依据.
关键词:自组装量子点; 有序生长; 张应变GaAs层; Self-assembled quantum dots; Ordering growth; Tensile strained GaAs layer;
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