退火温度对Eu3+掺杂TiO2-SiO2复合薄膜的发光影响
来源期刊：功能材料与器件学报2011年第4期
论文作者：赵建果 赵阿可 谢二庆 张伟英 刘照军
文章页码：412 - 416
关键词：TiO2-SiO2;光致发光;缺陷能级;能量传递;
摘 要：用溶胶-凝胶法制备了Eu3+离子掺杂的TiO2-SiO2复合薄膜并研究了退火温度对复合薄膜的光致发光的影响。并采用XRD、Raman和光致发光谱对其进行了一系列的表征。在退火温度为700℃的时候,Eu3+离子引起的发光强度是最强的,而随着退火温度的升高由TiO2本身的Ti3+离子缺陷能级引起的在近红外820nm处的发光峰的强度变得越来越强,一方面是因为随着退火温度的升高Ti3+离子增多,即缺陷能级数量增多,另一方面是Eu3+离子的能量背传递给Ti3+离子缺陷能级,这两个原因导致820nm处的发光峰强度随退火温度而增强。
赵建果1,2，赵阿可1，谢二庆2，张伟英1，刘照军1
1. 洛阳师范学院物理与电子信息学院2. 兰州大学物理科学与技术学院
摘 要：用溶胶-凝胶法制备了Eu3+离子掺杂的TiO2-SiO2复合薄膜并研究了退火温度对复合薄膜的光致发光的影响。并采用XRD、Raman和光致发光谱对其进行了一系列的表征。在退火温度为700℃的时候,Eu3+离子引起的发光强度是最强的,而随着退火温度的升高由TiO2本身的Ti3+离子缺陷能级引起的在近红外820nm处的发光峰的强度变得越来越强,一方面是因为随着退火温度的升高Ti3+离子增多,即缺陷能级数量增多,另一方面是Eu3+离子的能量背传递给Ti3+离子缺陷能级,这两个原因导致820nm处的发光峰强度随退火温度而增强。
关键词：TiO2-SiO2;光致发光;缺陷能级;能量传递;
