硅基Bi4Ti3O12薄膜的C-V特性研究
来源期刊：材料科学与工程学报2005年第1期
论文作者：黄志雄 郭冬云 付承菊
关键词：Bi4 Ti3O12; 铁电薄膜; Sol-Gel法; C-V特性; Ferroelectric thin films; Bi4Ti3O12; Sol-Gel method; C-V characteristics;
摘 要：Bi4 Ti3O12是典型的层状钙钛矿结构铁电材料,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件.本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出Bi4 Ti3O12铁电薄膜,并且对其性能进行了研究.测量不同退火温度下得到的Ag/BTO/p-Si结构的C-V曲线,结果表明Bi4 Ti3O12薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储.
黄志雄1，郭冬云1，付承菊1
(1.武汉理工大学材料科学与工程学院,湖北,武汉,430070)
摘要:Bi4 Ti3O12是典型的层状钙钛矿结构铁电材料,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件.本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出Bi4 Ti3O12铁电薄膜,并且对其性能进行了研究.测量不同退火温度下得到的Ag/BTO/p-Si结构的C-V曲线,结果表明Bi4 Ti3O12薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储.
关键词:Bi4 Ti3O12; 铁电薄膜; Sol-Gel法; C-V特性; Ferroelectric thin films; Bi4Ti3O12; Sol-Gel method; C-V characteristics;
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