La0.67Ba0.33MnO3中Bi掺杂产生的低场磁电阻增强效应
来源期刊：中国稀土学报2004年第3期
论文作者：刘宜华 梅良模 张汝贞 原晓波 王成建 黄宝歆
关键词：陶瓷材料; 低场磁电阻; 自旋相关散射; 自旋相关隧穿; 稀土;
摘 要：将Bi2O3掺杂到溶胶-凝胶法制备的La0.67Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中, 结果发现随着Bi的掺杂, 材料的磁化强度和居里温度基本不变, 但电阻率发生明显变化, 在0～10% (摩尔分数)的掺杂范围内, 电阻率先急速上升后缓慢降低. 掺Bi可以使低温下的低场磁电阻得到显著增强, 但并不改变与双交换作用有关的本征磁电阻; 掺Bi也使室温下的磁电阻得到明显增强.
刘宜华1，梅良模1，张汝贞1，原晓波1，王成建1，黄宝歆1
(1.山东大学物理与微电子学院和晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100)
摘要:将Bi2O3掺杂到溶胶-凝胶法制备的La0.67Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中, 结果发现随着Bi的掺杂, 材料的磁化强度和居里温度基本不变, 但电阻率发生明显变化, 在0～10% (摩尔分数)的掺杂范围内, 电阻率先急速上升后缓慢降低. 掺Bi可以使低温下的低场磁电阻得到显著增强, 但并不改变与双交换作用有关的本征磁电阻; 掺Bi也使室温下的磁电阻得到明显增强.
关键词:陶瓷材料; 低场磁电阻; 自旋相关散射; 自旋相关隧穿; 稀土;
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