简介概要

α-Si3N4单晶纳米带的光致发光及激发光谱研究

来源期刊：稀有金属材料与工程2005年增刊第2期

论文作者：张立功罗劲松金华谢志鹏安立楠杨为有范翊

关键词：a-Si3N4; 单晶; 吸收; 光致发光; single crystalline α-Si3N4; optical absorption; photoluminescence;

摘要：采用催化裂解有机前驱体方法制备出单晶a-Si3N4纳米带,研究了纳米带的吸收光谱、光致发光(PL)及激发(PLE)光谱.吸收光谱表明约5.0eV禁带宽度的纳米带是间接带半导体吸收.室温下纳米带的PL光谱在1.8eV, 2.3eV和3.0eV处有3个宽峰.PLE光谱显示在能隙中存在多个能级.

详情信息展示

张立功¹，罗劲松¹，金华¹，谢志鹏²，安立楠¹，杨为有²，范翊¹

(1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;
2.清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084)

摘要:采用催化裂解有机前驱体方法制备出单晶a-Si3N4纳米带,研究了纳米带的吸收光谱、光致发光(PL)及激发(PLE)光谱.吸收光谱表明约5.0eV禁带宽度的纳米带是间接带半导体吸收.室温下纳米带的PL光谱在1.8eV, 2.3eV和3.0eV处有3个宽峰.PLE光谱显示在能隙中存在多个能级.

关键词:a-Si3N4; 单晶; 吸收; 光致发光; single crystalline α-Si3N4; optical absorption; photoluminescence;

【全文内容正在添加中】