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KH-SiO2/PES/BMI-F51复合材料的介电性能

来源期刊:材料工程2019年第8期

论文作者:陈宇飞 耿成宝 郭红缘 岳春艳 柴铭茁

文章页码:103 - 109

关键词:双马来酰亚胺;酚醛环氧;聚醚砜;二氧化硅;介电性能;

摘    要:采用3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷(KH-560)修饰纳米二氧化硅(nano-SiO2)获得改性纳米二氧化硅(KH-SiO2)。以酚醛环氧树脂(F51)和双马来酰亚胺(BMI)作为基体,添加4%(质量分数,下同)聚醚砜(PES)和不同含量(0.5%~2.5%)的KH-SiO2,制备KH-SiO2/PES/BMI-F51多相复合材料。红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)和透射电镜结果表明:纳米SiO2表面修饰效果良好,纳米粒子团聚倾向减弱,粒径减小,比表面积增大。介电性能测试结果表明:随着KH-SiO2掺杂量的增加,材料的介电常数先降低后升高,介电损耗没有明显变化,体积电阻率和击穿强度先升高后降低。当KH-SiO2掺杂量为1.5%时,10Hz下介电常数和介电损耗角正切分别为4.55和0.0029,体积电阻率和击穿强度分别为1.74×1014Ω·m和29.11kV/mm,比树脂基体提高了68.9%和35.9%。

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KH-SiO2/PES/BMI-F51复合材料的介电性能

陈宇飞1,2,耿成宝1,郭红缘1,岳春艳1,柴铭茁1

1. 哈尔滨理工大学材料科学与工程学院2. 哈尔滨理工大学工程电介质及应用技术教育部重点实验室

摘 要:采用3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷(KH-560)修饰纳米二氧化硅(nano-SiO2)获得改性纳米二氧化硅(KH-SiO2)。以酚醛环氧树脂(F51)和双马来酰亚胺(BMI)作为基体,添加4%(质量分数,下同)聚醚砜(PES)和不同含量(0.5%~2.5%)的KH-SiO2,制备KH-SiO2/PES/BMI-F51多相复合材料。红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)和透射电镜结果表明:纳米SiO2表面修饰效果良好,纳米粒子团聚倾向减弱,粒径减小,比表面积增大。介电性能测试结果表明:随着KH-SiO2掺杂量的增加,材料的介电常数先降低后升高,介电损耗没有明显变化,体积电阻率和击穿强度先升高后降低。当KH-SiO2掺杂量为1.5%时,10Hz下介电常数和介电损耗角正切分别为4.55和0.0029,体积电阻率和击穿强度分别为1.74×1014Ω·m和29.11kV/mm,比树脂基体提高了68.9%和35.9%。

关键词:双马来酰亚胺;酚醛环氧;聚醚砜;二氧化硅;介电性能;

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