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纯铝材电解液微弧氮化工艺探讨

来源期刊:材料保护2011年第9期

论文作者:孙奉娄 戴茂飞

文章页码:12 - 105

关键词:电解液微弧氮化;AlN陶瓷膜;纯铝材;电解液浓度;放电参数;性能;

摘    要:电解液微弧氮化工艺简单,过去未见用其制备AlN膜的报道。采用电解液微弧氮化工艺在纯铝基片上制备了AlN陶瓷膜,利用正交试验优化工艺,研究了最优工艺制备的膜层的物相、形貌,并探讨了占空比、放电频率对膜层硬度、绝缘电阻、耐压值的影响。结果表明:正交试验优化的工艺为100 mL超纯水中CO(NH2)2 35.0 g,EDTA-2Na 3.0 g,放电频率1.0 kHz,占空比20%;各因素的影响由主到次依次为CO(NH2)2浓度、占空比、放电频率、EDTA-2Na浓度;最优工艺制备的陶瓷膜由多晶AlN组成,膜层致密;选择适当的占空比和放电频率有利于改善AlN陶瓷膜的性能。

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纯铝材电解液微弧氮化工艺探讨

孙奉娄,戴茂飞

中南民族大学等离子体研究所

摘 要:电解液微弧氮化工艺简单,过去未见用其制备AlN膜的报道。采用电解液微弧氮化工艺在纯铝基片上制备了AlN陶瓷膜,利用正交试验优化工艺,研究了最优工艺制备的膜层的物相、形貌,并探讨了占空比、放电频率对膜层硬度、绝缘电阻、耐压值的影响。结果表明:正交试验优化的工艺为100 mL超纯水中CO(NH2)2 35.0 g,EDTA-2Na 3.0 g,放电频率1.0 kHz,占空比20%;各因素的影响由主到次依次为CO(NH2)2浓度、占空比、放电频率、EDTA-2Na浓度;最优工艺制备的陶瓷膜由多晶AlN组成,膜层致密;选择适当的占空比和放电频率有利于改善AlN陶瓷膜的性能。

关键词:电解液微弧氮化;AlN陶瓷膜;纯铝材;电解液浓度;放电参数;性能;

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