Ga杂质分布对晶体管V-I特性的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2006年第12期
论文作者：裴素华 黄萍 程文雍
关键词：Ga; 浓度梯度; SiO2; 器件耐压; 负阻效应;
摘 要：利用低浓度掺杂-结深推移-高浓度掺杂设计方法形成Ga基区,制备出NPN晶体管样品.实验结果与理论分析表明:Ga的线性缓变分布和SiO2薄膜覆盖下的扩散,大幅度提高了器件耐压水平与综合电学性能;IC-VCE中的负阻效应是由Ga原子表面浓度经二次氧化变为耗尽状态所致,对此,可采用Si3N4/SiO2/Si复合结构加以改善;总之,开管扩镓是一种制备高压器件不可比拟的新途径.
裴素华1，黄萍1，程文雍1
(1.山东师范大学,山东,济南,250014)
摘要:利用低浓度掺杂-结深推移-高浓度掺杂设计方法形成Ga基区,制备出NPN晶体管样品.实验结果与理论分析表明:Ga的线性缓变分布和SiO2薄膜覆盖下的扩散,大幅度提高了器件耐压水平与综合电学性能;IC-VCE中的负阻效应是由Ga原子表面浓度经二次氧化变为耗尽状态所致,对此,可采用Si3N4/SiO2/Si复合结构加以改善;总之,开管扩镓是一种制备高压器件不可比拟的新途径.
关键词:Ga; 浓度梯度; SiO2; 器件耐压; 负阻效应;
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