PCVD涂硅的动力学研究
来源期刊:材料保护2000年第12期
论文作者:王蕾 周树清 陈大凯
关键词:涂硅; PCVD法; 动力学;
摘 要:采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法,在0.1~0.3mm厚的普通硅钢片表面涂硅,再进行短时间高温扩散,使硅钢片的含Si量增加到6.5%,铁损P10/50比原来钢片降低50%,其他磁性能也大有改善。试验结果表明,在460~600℃涂硅,其他条件不变,涂硅速度随温度升高而降低,并对等离子体反应的动力学和热力学进行了研究。
王蕾1,周树清1,陈大凯1
(1.武汉科技大学 430081)
摘要:采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法,在0.1~0.3mm厚的普通硅钢片表面涂硅,再进行短时间高温扩散,使硅钢片的含Si量增加到6.5%,铁损P10/50比原来钢片降低50%,其他磁性能也大有改善。试验结果表明,在460~600℃涂硅,其他条件不变,涂硅速度随温度升高而降低,并对等离子体反应的动力学和热力学进行了研究。
关键词:涂硅; PCVD法; 动力学;
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