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CVD技术制备Ta/W层状复合材料

来源期刊:航空材料学报2017年第2期

论文作者:祁小红 郑旭 蔡宏中 刘少鹏 胡昌义 魏燕

文章页码:38 - 43

关键词:化学气相沉积(CVD);Ta/W层状复合材料;W体积分数;力学性能;

摘    要:运用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术制备了W体积分数分别10%,13%和18%的Ta/W两层层状复合材料,采用金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和室温拉伸实验对复合材料的性能进行分析。结果表明:运用CVD技术可以制备W体积分数不同,且密度优于理论密度99.4%的层状复合材料;复合材料中Ta,W层的晶粒均为柱状晶粒,离界面越近,晶粒越细;沉积态复合材料的力学性能优于纯CVD Ta和CVD W;1600℃×2 h的热处理后,复合材料的界面扩散层宽度显著增大,力学性能高于沉积态的力学性能,最高抗拉强度可达660 MPa。

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CVD技术制备Ta/W层状复合材料

祁小红,郑旭,蔡宏中,刘少鹏,胡昌义,魏燕

昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室

摘 要:运用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术制备了W体积分数分别10%,13%和18%的Ta/W两层层状复合材料,采用金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和室温拉伸实验对复合材料的性能进行分析。结果表明:运用CVD技术可以制备W体积分数不同,且密度优于理论密度99.4%的层状复合材料;复合材料中Ta,W层的晶粒均为柱状晶粒,离界面越近,晶粒越细;沉积态复合材料的力学性能优于纯CVD Ta和CVD W;1600℃×2 h的热处理后,复合材料的界面扩散层宽度显著增大,力学性能高于沉积态的力学性能,最高抗拉强度可达660 MPa。

关键词:化学气相沉积(CVD);Ta/W层状复合材料;W体积分数;力学性能;

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