CVD技术制备Ta/W层状复合材料
来源期刊:航空材料学报2017年第2期
论文作者:祁小红 郑旭 蔡宏中 刘少鹏 胡昌义 魏燕
文章页码:38 - 43
关键词:化学气相沉积(CVD);Ta/W层状复合材料;W体积分数;力学性能;
摘 要:运用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术制备了W体积分数分别10%,13%和18%的Ta/W两层层状复合材料,采用金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和室温拉伸实验对复合材料的性能进行分析。结果表明:运用CVD技术可以制备W体积分数不同,且密度优于理论密度99.4%的层状复合材料;复合材料中Ta,W层的晶粒均为柱状晶粒,离界面越近,晶粒越细;沉积态复合材料的力学性能优于纯CVD Ta和CVD W;1600℃×2 h的热处理后,复合材料的界面扩散层宽度显著增大,力学性能高于沉积态的力学性能,最高抗拉强度可达660 MPa。
祁小红,郑旭,蔡宏中,刘少鹏,胡昌义,魏燕
昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室
摘 要:运用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术制备了W体积分数分别10%,13%和18%的Ta/W两层层状复合材料,采用金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和室温拉伸实验对复合材料的性能进行分析。结果表明:运用CVD技术可以制备W体积分数不同,且密度优于理论密度99.4%的层状复合材料;复合材料中Ta,W层的晶粒均为柱状晶粒,离界面越近,晶粒越细;沉积态复合材料的力学性能优于纯CVD Ta和CVD W;1600℃×2 h的热处理后,复合材料的界面扩散层宽度显著增大,力学性能高于沉积态的力学性能,最高抗拉强度可达660 MPa。
关键词:化学气相沉积(CVD);Ta/W层状复合材料;W体积分数;力学性能;