半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展
来源期刊：材料导报2003年第2期
论文作者：臧竞存 巩锋 杨敏飞
关键词：ZnO晶体; 直接宽带隙材料; 半导体材料;
摘 要：ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV.其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件.对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述.
臧竞存1，巩锋1，杨敏飞1
(1.北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022)
摘要:ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV.其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件.对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述.
关键词:ZnO晶体; 直接宽带隙材料; 半导体材料;
【全文内容正在添加中】
