In2O3的掺杂及气敏性能研究
来源期刊：材料导报2008年第9期
论文作者：陈晓丽 牛新书 茹祥莉 王雪丽 魏平涛
关键词：In2O3掺杂; 气敏性; 机理;
摘 要：较为详尽地论述了n型半导体材料In2O3的掺杂情况,并就不同金属氧化物掺杂引起的气敏性能作了简单的分析,发现不同的金属氧化物掺杂对NO2、O3及一些还原性气体的灵敏度有不同程度的提高,改善了In2O3的气敏性能,同时还探讨了In2O3对不同气体(H2、H2S、NO2、O3,Cl2、C2H5OH)的敏感机理.
陈晓丽1，牛新书1，茹祥莉1，王雪丽1，魏平涛1
(1.河南师范大学化学与环境科学学院,河南省环境污染控制重点实验室,新乡453007)
摘要:较为详尽地论述了n型半导体材料In2O3的掺杂情况,并就不同金属氧化物掺杂引起的气敏性能作了简单的分析,发现不同的金属氧化物掺杂对NO2、O3及一些还原性气体的灵敏度有不同程度的提高,改善了In2O3的气敏性能,同时还探讨了In2O3对不同气体(H2、H2S、NO2、O3,Cl2、C2H5OH)的敏感机理.
关键词:In2O3掺杂; 气敏性; 机理;
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