碳化硅纳米线拉伸断裂及断裂表面接触的分子动力学模拟

来源期刊：硬质合金2019年第4期

论文作者：戴雷 张振宇 黄思玲

文章页码：283 - 288

关键词：SiC纳米线;分子动力学模拟;重新键合;势能;

摘    要：一维纳米材料的自愈合对于工业应用有着重要的意义,而晶体SiC纳米线则是一种拥有优异性能一维纳米材料。基于分子动力学方法,采用Tersoff势函数,对半径25?,长150?的晶体SiC纳米线进行拉伸模拟,提取单个Si原子的位置和势能变化,发现原子断键后会形成悬键,并观察到了重新键合的现象;之后使纳米线完成了断裂表面的接触,发现了C-Si和Si-Si原子对间重新键合的现象,得到了自愈合后的纳米线。通过对单原子的势能变化进行分析,发现重新键合后的原子势能会降低,而系统为了达到稳定状态,会将悬键的势能驱动到最低,重新键合则是达到该状态的最有效路径,SiC纳米线也因此完成了自愈合。