650℃热基片上制备SmCo基永磁薄膜的内禀矫顽力研究（英文）
来源期刊：稀有金属材料与工程2015年第4期
论文作者：李元勋 彭龙
文章页码：796 - 799
关键词：稀土永磁;SmCo薄膜;矫顽力;衬底层;
摘 要：以Al、Cu、Ag、Mo、Cr为衬底层,在650℃热硅基片上制备了未经后退火工艺处理的Sm Co基永磁薄膜,研究了薄膜内禀矫顽力的变化规律。结果表明,采用Mo和Cr作为衬底层可以提高薄膜的内禀矫顽力。Sm Co基永磁薄膜的厚度对内禀矫顽力的影响复杂,当薄膜厚度为3.0μm时,可以获得室温内禀矫顽力的最大值为281.6 k A·m-1。内禀矫顽力的温度依赖关系主要取决于薄膜的相关磁学参数,在25300℃范围内,内禀矫顽力高于200 k A·m-1。
李元勋1，彭龙2
1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室2. 成都信息工程学院
摘 要：以Al、Cu、Ag、Mo、Cr为衬底层,在650℃热硅基片上制备了未经后退火工艺处理的Sm Co基永磁薄膜,研究了薄膜内禀矫顽力的变化规律。结果表明,采用Mo和Cr作为衬底层可以提高薄膜的内禀矫顽力。Sm Co基永磁薄膜的厚度对内禀矫顽力的影响复杂,当薄膜厚度为3.0μm时,可以获得室温内禀矫顽力的最大值为281.6 k A·m-1。内禀矫顽力的温度依赖关系主要取决于薄膜的相关磁学参数,在25300℃范围内,内禀矫顽力高于200 k A·m-1。
关键词：稀土永磁;SmCo薄膜;矫顽力;衬底层;
