SiGe上NbAlO栅介质薄膜微结构和电学性能分析

来源期刊：功能材料与器件学报2011年第1期

论文作者：宋朝瑞 程新红 何大伟 徐大伟

文章页码：120 - 124

关键词：NbAlO栅介质;价带偏移;超晶格;

摘    要：本文针对SiGe上Al2O3/NbAlO/Al2O3三明治结构介质栈的热稳定性和电学性能进行了研究。高分辨透射电镜(HRTEM)测试表明退火后薄膜是结晶的,同步辐射X射线反射率(XRR)和X射线衍射(XRD)分析表明在薄膜中存在超晶格结构,有0.5nm的界面层存在,X射线光电子谱(XPS)表明界面层主要成分是SiOx,介质层与SiGe衬底之间的价带偏移是2.9eV。电学测试分析给出的等效栅氧厚度和介电常数分别是1.8nm和19。