Al2O3掺杂对YSZ固体电解质烧结及电性能的影响
来源期刊：无机材料学报2004年第3期
论文作者：何莉萍 利明 罗上庚 李素芳 邹长贵 梁雪元 向兰翔 陈宗璋
关键词：氧化锆; Al2O3; 氧离子空穴; 空间电荷层;
摘 要：研究了用常规共沉淀法掺杂Al2O3对YSZ固体电解质的烧结及电性能的影响.结果表明:适量的Al2O3能提高YSZ材料的烧结性能,促使其致密化,但过量的Al2O3对材料的致密化不利;同时,材料的晶界电导随Al2O3含量的增大表现出先增大后减小的变化趋势,这与Al2O3对YSZ晶界两方面的不同影响有关,Al2O3偏析于晶界一方面能清除晶界上对氧离子电导不利的SiO2,但另一方面也会降低晶界空间电荷层中的自由氧离子空穴的浓度.
何莉萍1，利明1，罗上庚2，李素芳1，邹长贵2，梁雪元2，向兰翔2，陈宗璋1
(1.湖南大学化学化工学院,长沙,410082;
2.中国原子能研究院,北京,102413)
摘要:研究了用常规共沉淀法掺杂Al2O3对YSZ固体电解质的烧结及电性能的影响.结果表明:适量的Al2O3能提高YSZ材料的烧结性能,促使其致密化,但过量的Al2O3对材料的致密化不利;同时,材料的晶界电导随Al2O3含量的增大表现出先增大后减小的变化趋势,这与Al2O3对YSZ晶界两方面的不同影响有关,Al2O3偏析于晶界一方面能清除晶界上对氧离子电导不利的SiO2,但另一方面也会降低晶界空间电荷层中的自由氧离子空穴的浓度.
关键词:氧化锆; Al2O3; 氧离子空穴; 空间电荷层;
【全文内容正在添加中】
