Mg掺杂In_xGa_1-xN薄膜的磁控溅射法制备和表征（英文）

来源期刊：稀有金属材料与工程2019年第4期

论文作者：王雪文 吴朝科 高海波 翟春雪 李振杰 张志勇 贺琳

文章页码：1074 - 1078

关键词：In_xGa_1-xN薄膜;磁控溅射法;Mg掺杂;电学性能;

摘    要：采用磁控溅射法,用In₂O₃靶、Ga₂O₃靶、Mg靶在Si片上制备出In_xGa_1-xN薄膜和Mg掺杂的In_xGa_1-xN薄膜。薄膜中的In组分随着Mg的掺杂而减少,因为Mg的掺杂抑制了In-N键的形成,并增加了Ga进入薄膜的机会。通过EDS对Mg掺杂的In_xGa_1-xN薄膜的分析表明,有1.4%的Mg组分被成功地掺入In_xGa_1-xN薄膜。电学性能分析表明In_0.84Ga_0.16N和Mg掺杂的In_0.1Ga_0.9N薄膜导电类型由n型转变为p型,而且Mg掺杂的In_0.1Ga_0.9N薄膜的空穴浓度和电子迁移率分别为2.65×10¹⁸ cm^-3和3.9 cm²/（V·s）。