环境气体对激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响
来源期刊:材料工程2008年第10期
论文作者:褚立志 张恒生 王英龙 丁学成 傅广生
关键词:脉冲激光烧蚀; 纳米Si晶粒; 平均尺寸; 环境气体;
摘 要:采用脉冲激光烧蚀装置,在不同环境气体下,沉积制备了含有纳米Si晶粒的薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌,并对晶粒尺寸进行统计分析,发现不同环境气体下,纳米Si晶粒平均尺寸均随衬底与靶的距离增加有着先增大后减小的规律;通过分析比较,同等条件下Ne气环境下制备的纳米Si晶粒平均尺寸最小.
褚立志1,张恒生1,王英龙1,丁学成1,傅广生1
(1.河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002)
摘要:采用脉冲激光烧蚀装置,在不同环境气体下,沉积制备了含有纳米Si晶粒的薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌,并对晶粒尺寸进行统计分析,发现不同环境气体下,纳米Si晶粒平均尺寸均随衬底与靶的距离增加有着先增大后减小的规律;通过分析比较,同等条件下Ne气环境下制备的纳米Si晶粒平均尺寸最小.
关键词:脉冲激光烧蚀; 纳米Si晶粒; 平均尺寸; 环境气体;
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