含铋层状结构陶瓷CaBi2Nb2O9的A位掺杂改性研究
来源期刊：无机材料学报2012年第7期
论文作者：宗立超 曾江涛 赵苏串 阮伟 李国荣
文章页码：726 - 730
关键词：压电陶瓷;掺杂;压电系数;CaBi2Nb2O9;
摘 要：利用固相反应法合成了Ca1-x（KLa）x/2Bi2Nb2O9（x=0～0.20）（xKLaCBNO）铋层状陶瓷,分析不同KLa掺杂量对CaBi2Nb2O9（CBNO）基陶瓷微观结构、介电、压电及电导性能的影响.XRD分析表明KLa的引入未改变CBNO陶瓷的单相结构.SEM和介电系数温度谱结果分别显示,KLa掺杂量的增加,细化尺寸趋于一致,而居里温度（Tc）从943℃降低至875℃,其峰值介电常数减小、峰值介电损耗增大.当掺杂量x=0.1时,样品的高温电阻率较纯CBNO显著升高,压电系数d33由5.2 pC/N提高到15.8 pC/N,居里温度高达870℃,说明A位（KLa）掺杂改性后的CBNO陶瓷在高温传感器等领域具有潜在的应用前景.
宗立超1,2，曾江涛2，赵苏串1，阮伟2，李国荣2
1. 上海大学物理系2. 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘 要：利用固相反应法合成了Ca1-x（KLa）x/2Bi2Nb2O9（x=0～0.20）（xKLaCBNO）铋层状陶瓷,分析不同KLa掺杂量对CaBi2Nb2O9（CBNO）基陶瓷微观结构、介电、压电及电导性能的影响.XRD分析表明KLa的引入未改变CBNO陶瓷的单相结构.SEM和介电系数温度谱结果分别显示,KLa掺杂量的增加,细化尺寸趋于一致,而居里温度（Tc）从943℃降低至875℃,其峰值介电常数减小、峰值介电损耗增大.当掺杂量x=0.1时,样品的高温电阻率较纯CBNO显著升高,压电系数d33由5.2 pC/N提高到15.8 pC/N,居里温度高达870℃,说明A位（KLa）掺杂改性后的CBNO陶瓷在高温传感器等领域具有潜在的应用前景.
关键词：压电陶瓷;掺杂;压电系数;CaBi2Nb2O9;
