轴向磁场对硅单晶Czochralski生长过程的影响

来源期刊：材料研究学报2005年第3期

论文作者：彭岚 余长军 吴双应 李友荣

关键词：材料科学基础学科; 全局分析; 有限元方法; 硅Cz炉; 轴向磁场;

摘    要：利用有限元方法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟,假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流,熔体为不可压缩流体,Cz炉外壁温度维持恒定,模拟磁场强度范围为(0～0.3)T,研究了用Czochralski(Cz)法生长单晶硅轴向磁场对熔体流动和氧传输过程的影响.结果表明:轴向磁场可有效地抑制熔体内的流动,但增大加热器功率和结晶界面处晶体内的轴向温度梯度;对于常规Cz炉,轴向磁场可增大结晶界面平均氧浓度,而对于具有气体导板的Cz炉,则会减小结晶界面平均氧浓度.