聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜研究
来源期刊：功能材料2008年第9期
论文作者：冯祖德 张立同 陈立富 李思维 余煜玺 姚荣迁
关键词：聚碳硅烷; 先驱体法; 碳化硅; 自由薄膜;
摘 要：以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,通过自行设计的喷膜板熔融纺出连续PCS自由薄膜,并对其进行氧化交联与高温裂解烧结可制得连续SiC自由薄膜.用扫描电镜分析薄膜表面和横断面的形貌,通过红外光谱(FTIR)分析氧化交联后薄膜的结构,通过拉曼光谱(Raman spectroscopy)、X射线衍射(XRD)与场发射高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜进行微观分析.结果表明,熔融纺膜与聚碳硅烷先驱体法相结合可制得均匀、致密的连续β-SiC自由薄膜,其厚度可通过调节喷膜板的喷膜口尺寸大小和纺膜速度进行控制,薄膜的厚度大约在10～30μm.
冯祖德1，张立同3，陈立富1，李思维1，余煜玺1，姚荣迁1
(1.厦门大学,福建省特种先进材料重点实验室,福建,厦门,361005;
2.厦门大学材料学院,福建,厦门,361005;
3.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;
4.厦门大学,化学化工学院,福建,厦门,361005)
摘要:以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,通过自行设计的喷膜板熔融纺出连续PCS自由薄膜,并对其进行氧化交联与高温裂解烧结可制得连续SiC自由薄膜.用扫描电镜分析薄膜表面和横断面的形貌,通过红外光谱(FTIR)分析氧化交联后薄膜的结构,通过拉曼光谱(Raman spectroscopy)、X射线衍射(XRD)与场发射高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜进行微观分析.结果表明,熔融纺膜与聚碳硅烷先驱体法相结合可制得均匀、致密的连续β-SiC自由薄膜,其厚度可通过调节喷膜板的喷膜口尺寸大小和纺膜速度进行控制,薄膜的厚度大约在10～30μm.
关键词:聚碳硅烷; 先驱体法; 碳化硅; 自由薄膜;
【全文内容正在添加中】
