共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察
来源期刊：东北大学学报(自然科学版)2007年第9期
论文作者：李小武 周杨 杨瑞青 苏会和
文章页码：1365 - 1368
关键词：铜单晶;共轭双滑移;循环形变;位错结构;SEM-ECC技术;晶体取向;
摘 要：利用扫描电镜电子通道衬度（SEM-ECC）技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带（PSBs）的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[■ 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[■ 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[■ 1 2]分别向[■ 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯结构逐步变化到胞结构和迷宫结构.
李小武1，周杨1，杨瑞青2，苏会和2
1. 东北大学理学院2. 中国科学院金属研究所
摘 要：利用扫描电镜电子通道衬度（SEM-ECC）技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带（PSBs）的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[■ 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[■ 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[■ 1 2]分别向[■ 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯结构逐步变化到胞结构和迷宫结构.
关键词：铜单晶;共轭双滑移;循环形变;位错结构;SEM-ECC技术;晶体取向;
