氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2004年第3期
论文作者：庄惠照 魏芹芹 薛成山 曹文田 孙振翠 高海永
关键词：射频磁控溅射; Ga2O3薄膜; GaN晶体膜; 氮化温度;
摘 要：采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响.测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配.同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高.
庄惠照1，魏芹芹1，薛成山1，曹文田1，孙振翠1，高海永1
(1.山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014)
摘要:采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响.测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配.同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高.
关键词:射频磁控溅射; Ga2O3薄膜; GaN晶体膜; 氮化温度;
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