激光作用下Ges2非晶半导体薄膜的性能及结构变化
来源期刊：无机材料学报2002年第4期
论文作者：刘启明 干福熹 顾冬红
关键词：GeS2非晶半导体薄膜; 氩离子激光辐照; 光致变化;
摘 要：采用514.5nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析(XRD)、红外光谱分析(IR)、扫描电镜分析(SEM)和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加,这种平移在退火薄膜中是可逆的.SEM结果分析表明,薄膜在激光辐照后有晶相出现,且随着辐照激光强度的增加,晶相更多.
刘启明1，干福熹1，顾冬红1
(1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800)
摘要:采用514.5nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析(XRD)、红外光谱分析(IR)、扫描电镜分析(SEM)和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加,这种平移在退火薄膜中是可逆的.SEM结果分析表明,薄膜在激光辐照后有晶相出现,且随着辐照激光强度的增加,晶相更多.
关键词:GeS2非晶半导体薄膜; 氩离子激光辐照; 光致变化;
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