CdZnTe像素探测器表面的氧离子刻蚀工艺

来源期刊：功能材料与器件学报2010年第5期

论文作者：孙玉宝 傅莉 任洁 査钢强

文章页码：515 - 518

关键词：氧离子刻蚀;CdZnTe晶片;表面性能;

摘    要：本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺。通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响。研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层。刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大。减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低。