一维光子晶体下拓扑绝缘体缺陷的研究

来源期刊：功能材料与器件学报2011年第5期

论文作者：王鹏 刘勤 蒋寻涯

文章页码：526 - 532

关键词：光子晶体;拓扑绝缘体;传输矩阵;表面态;

摘    要：拓扑绝缘体(TI)是近年来广受关注的一种新型材料,其表面的拓扑磁电效应是其拓扑性质的反应。我们在TI平板上下表面镀上很薄的铁磁层并同方向磁化,然后将其夹在一维光子晶体中作为缺陷来研究时,发现TI材料表面的磁电耦合效应引起透射谱上一些新奇的变化。例如,当垂直入射一束线偏振光时,与一般的"单个透射率为1"的缺陷态共振峰不同,这时会出现"两个透射率为0.5"的缺陷态共振峰,并且两个透射峰频率处的透射光是圆偏振态,同时,我们还可以通过调节光子晶体的相关参数来调节这两个透射峰(双峰)的距离。反过来,我们可以通过这些新颖的变化来研究TI材料的表面性质,以及对精细结构常数进行精确测量。