非理想配比二氧化钒薄膜喇曼光谱研究
来源期刊：功能材料2006年第2期
论文作者：冯克成 袁宏韬 张先徽
关键词：二氧化钒薄膜; 喇曼光谱; 非理想配比; 射频磁控溅射;
摘 要：采用射频(RF)磁控溅射在各种条件下制备的VO2薄膜的喇曼光谱曲线.研究发现,和理想配比VO2薄膜的主要喇曼峰相比较,无论是富钒的VO2薄膜还是富氧的VO2薄膜它们主要的喇曼峰都向高频方向移动.我们提供了实验证据并且讨论了非理想配比导致VO2薄膜喇曼光谱变化的原因.
冯克成1，袁宏韬2，张先徽1
(1.长春理工大学,理学院,吉林,长春,130022;
2.长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;
3.中国科学院研究生院,北京,100039)
摘要:采用射频(RF)磁控溅射在各种条件下制备的VO2薄膜的喇曼光谱曲线.研究发现,和理想配比VO2薄膜的主要喇曼峰相比较,无论是富钒的VO2薄膜还是富氧的VO2薄膜它们主要的喇曼峰都向高频方向移动.我们提供了实验证据并且讨论了非理想配比导致VO2薄膜喇曼光谱变化的原因.
关键词:二氧化钒薄膜; 喇曼光谱; 非理想配比; 射频磁控溅射;
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