化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究
来源期刊：功能材料2004年第2期
论文作者：田斌 王兴 胡明 张之圣 张景阳
关键词：多孔硅; 化学刻蚀; 应力; 微裂纹;
摘 要：应用各种表面形貌分析方法如SEM、TEM、AFM等,通过对用化学刻蚀法形成的多孔硅进行表面形貌分析,发现由于横向腐蚀比较严重而使多孔硅层在达到一定深度后就会自动脱落.腐蚀中由于大量H2的析出,对硅晶体产生巨大的应力,这些应力使硅在比较脆弱的晶粒边界或缺陷处产生微裂纹,多孔硅就从这些地方开始和生长.
田斌1，王兴1，胡明1，张之圣1，张景阳1
(1.天津大学,电子信息工程学院电子科学与技术系,天津,300072)
摘要:应用各种表面形貌分析方法如SEM、TEM、AFM等,通过对用化学刻蚀法形成的多孔硅进行表面形貌分析,发现由于横向腐蚀比较严重而使多孔硅层在达到一定深度后就会自动脱落.腐蚀中由于大量H2的析出,对硅晶体产生巨大的应力,这些应力使硅在比较脆弱的晶粒边界或缺陷处产生微裂纹,多孔硅就从这些地方开始和生长.
关键词:多孔硅; 化学刻蚀; 应力; 微裂纹;
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