简介概要

新型碱性阻挡层抛光液在300mm铜布线平坦化中的应用

来源期刊:功能材料2012年第23期

论文作者:魏文浩 刘玉岭 王辰伟 牛新环 郑伟艳 尹康达

文章页码:3333 - 3335

关键词:碱性阻挡层抛光液;去除速率;选择性;碟形坑;蚀坑;

摘    要:研发了一种新型碱性阻挡层抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂和不稳定的氧化剂(通常为H2O2)。Cu/Ta/TEOS去除速率和选择性实验结果表明,此阻挡层抛光液对Cu具有较低的去除速率,能够保护凹陷处的Cu不被去除,而对阻挡层(Ta)和保护层(TEOS)具有较高的去除速率,利于碟形坑和蚀坑的修正。在300mm铜布线CMP中应用表明,此碱性阻挡层抛光液为高选择性抛光液,能够实现Ta/TEOS/Cu的选择性抛光,对碟形坑(dishing)和蚀坑(erosion)具有较强的修正作用,有效地消除了表面的不平整性,与去除速率及选择性实验结果一致,能够用于多层铜布线阻挡层的抛光。

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新型碱性阻挡层抛光液在300mm铜布线平坦化中的应用

魏文浩,刘玉岭,王辰伟,牛新环,郑伟艳,尹康达

河北工业大学微电子研究所

摘 要:研发了一种新型碱性阻挡层抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂和不稳定的氧化剂(通常为H2O2)。Cu/Ta/TEOS去除速率和选择性实验结果表明,此阻挡层抛光液对Cu具有较低的去除速率,能够保护凹陷处的Cu不被去除,而对阻挡层(Ta)和保护层(TEOS)具有较高的去除速率,利于碟形坑和蚀坑的修正。在300mm铜布线CMP中应用表明,此碱性阻挡层抛光液为高选择性抛光液,能够实现Ta/TEOS/Cu的选择性抛光,对碟形坑(dishing)和蚀坑(erosion)具有较强的修正作用,有效地消除了表面的不平整性,与去除速率及选择性实验结果一致,能够用于多层铜布线阻挡层的抛光。

关键词:碱性阻挡层抛光液;去除速率;选择性;碟形坑;蚀坑;

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