球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察
来源期刊：金属学报2000年第7期
论文作者：叶恒强 杨晓云 黄震威 吴玉琨
关键词：球磨; 高分辨电镜; 扩散; 非晶晶化; 局域自蔓延;
摘 要：在室温条件下,球磨Si,C混合粉末合成纳米尺寸SiC.采用高分辨电子显微术在原子尺度上详尽地表征了该反应过程.高分辨像表明,在球磨过程中首先形成非晶C(a-C)、非晶Si(a-Si)以及纳米晶Si(c-Si),为合成SiC提供了适宜条件.SiC的合成主要是通过C原子向a-Si及c-Si的扩散.对于前者,形成非晶a-Si(C),然后机械力诱使非晶a-Si(C)晶化;对于后者,C原子直接取代Si原子形成SiC,具有取向关系(111)siC∥(111)si.在一些区域内,还发生局域自蔓延反应,形成稍大尺寸的SiC晶粒.
叶恒强1，杨晓云1，黄震威1，吴玉琨1
(1.中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室,沈阳,110015)
摘要:在室温条件下,球磨Si,C混合粉末合成纳米尺寸SiC.采用高分辨电子显微术在原子尺度上详尽地表征了该反应过程.高分辨像表明,在球磨过程中首先形成非晶C(a-C)、非晶Si(a-Si)以及纳米晶Si(c-Si),为合成SiC提供了适宜条件.SiC的合成主要是通过C原子向a-Si及c-Si的扩散.对于前者,形成非晶a-Si(C),然后机械力诱使非晶a-Si(C)晶化;对于后者,C原子直接取代Si原子形成SiC,具有取向关系(111)siC∥(111)si.在一些区域内,还发生局域自蔓延反应,形成稍大尺寸的SiC晶粒.
关键词:球磨; 高分辨电镜; 扩散; 非晶晶化; 局域自蔓延;
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