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溅射法生长 MgxZn1- xO薄膜的结构和光学特性

来源期刊:功能材料与器件学报2005年第1期

论文作者:计峰 王卿璞 宗福建 马瑾 王翠英 马洪磊 肖洪地 张锡健

关键词:MgxZn1- xO薄膜; 射频磁控溅射; 光致发光;

摘    要:用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了 MgxZn1- xO薄膜. X射线衍射 (XRD)和原子力显 微镜( AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结构,具有( 002)方向择优取向;随氧分压增加,( 002) 衍射峰的角度变大,表征薄膜表面粗糙程度的方均根粗糙度减小.室温光致发光谱中有多个紫外 及可见光致发光峰,其中 344nm发光峰应来源于近带边发射.室温透射谱表明薄膜在可见光区具 有极高的透过率,薄膜的吸收边位于 340nm附近,进而估算出 MgxZn1- xO薄膜的带隙宽度为 3.59eV, 与光致发光结果一致.

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溅射法生长 MgxZn1- xO薄膜的结构和光学特性

计峰1,王卿璞1,宗福建1,马瑾1,王翠英2,马洪磊1,肖洪地1,张锡健1

(1.山东大学物理与微电子学院,济南,250100;
2.泰山医学院,泰安,271000)

摘要:用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了 MgxZn1- xO薄膜. X射线衍射 (XRD)和原子力显 微镜( AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结构,具有( 002)方向择优取向;随氧分压增加,( 002) 衍射峰的角度变大,表征薄膜表面粗糙程度的方均根粗糙度减小.室温光致发光谱中有多个紫外 及可见光致发光峰,其中 344nm发光峰应来源于近带边发射.室温透射谱表明薄膜在可见光区具 有极高的透过率,薄膜的吸收边位于 340nm附近,进而估算出 MgxZn1- xO薄膜的带隙宽度为 3.59eV, 与光致发光结果一致.

关键词:MgxZn1- xO薄膜; 射频磁控溅射; 光致发光;

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