甲胺-铁氰化钾抛光液中铜钝化成膜的机理研究
来源期刊：功能材料2005年第6期
论文作者：胡岳华 何捍卫 周科朝
关键词：铜; 化学-机械抛光; 钝化; 机理;
摘 要：用电化学循环伏安测试技术研究了铜在甲胺-铁氰化钾抛光液中钝化成膜的机理.通过大幅度改变电位扫描速率,分析了氧化峰电流(IApa)、氧化峰电位(EApa)及阳阴峰电流的比值(IApa/IApc)与相应电位扫描速率的关系.结果表明,氧化峰电流和氧化峰电位均与电位扫描速率的平方根成线性关系,说明成膜复盖度θ与电位扫描速率无关,成膜过程符合Muller模型.成膜过程中,电极反应存在后置化学转化,铜在去极化剂作用下发生失去一个电子的阳极溶解反应,然后再进行化学转化反应生成Cu4[Fe(CN)6]钝化膜.在CMP过程中,具有这种钝化膜的铜的腐蚀电流密度及抛光速率随抛光转速的增加而增大.
胡岳华1，何捍卫2，周科朝2
(1.中南大学,资源加工与生物工程学院,湖南,长沙,410083;
2.中南大学,粉末冶金国家重点实验室,湖南,长沙,410083)
摘要:用电化学循环伏安测试技术研究了铜在甲胺-铁氰化钾抛光液中钝化成膜的机理.通过大幅度改变电位扫描速率,分析了氧化峰电流(IApa)、氧化峰电位(EApa)及阳阴峰电流的比值(IApa/IApc)与相应电位扫描速率的关系.结果表明,氧化峰电流和氧化峰电位均与电位扫描速率的平方根成线性关系,说明成膜复盖度θ与电位扫描速率无关,成膜过程符合Muller模型.成膜过程中,电极反应存在后置化学转化,铜在去极化剂作用下发生失去一个电子的阳极溶解反应,然后再进行化学转化反应生成Cu4[Fe(CN)6]钝化膜.在CMP过程中,具有这种钝化膜的铜的腐蚀电流密度及抛光速率随抛光转速的增加而增大.
关键词:铜; 化学-机械抛光; 钝化; 机理;
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