GaAs基GaSb薄膜的分子束外延生长与发光特性
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年第2期
论文作者：李美成 张保顺 赵连城 刘国军 李林 邱永鑫 熊丽
关键词：分子束外延; GaSb; 缓冲层; 发光特性;
摘 要：研究了用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺.为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层,有效降低了外延层中的位错密度,提高了晶体质量.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到低温GaSb缓冲层的优化生长参数:厚度为20 nm,生长速率为1.43 μm/h,Ⅴ/Ⅲ束流比为2.0.并在此基础上研究了GaSb薄膜的发光特性:GaSb薄膜的光致发光光谱主要由束缚激子(BE4)和施主一受主对(D-A)辐射复合发光峰组成,在50 K时其发光峰强度最强,半峰宽最窄.
李美成1，张保顺2，赵连城1，刘国军2，李林2，邱永鑫1，熊丽3
(1.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001;
2.长春理工大学,吉林,长春,130022;
3.哈尔滨工业大学(威海)
摘要:研究了用分子束外延(MBE)在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺.为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度,采用低温GaSb作为缓冲层,有效降低了外延层中的位错密度,提高了晶体质量.通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析,得到低温GaSb缓冲层的优化生长参数:厚度为20 nm,生长速率为1.43 μm/h,Ⅴ/Ⅲ束流比为2.0.并在此基础上研究了GaSb薄膜的发光特性:GaSb薄膜的光致发光光谱主要由束缚激子(BE4)和施主一受主对(D-A)辐射复合发光峰组成,在50 K时其发光峰强度最强,半峰宽最窄.
关键词:分子束外延; GaSb; 缓冲层; 发光特性;
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