偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理
来源期刊：金属学报2003年第5期
论文作者：孙超 林国强 董闯 黄美东 闻立时
关键词：偏压; 电弧离子镀; Tin薄膜; 表面形貌;
摘 要：在不同偏压下用电弧离子镀沉积TiN薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面大颗粒污染情况,并分析偏压对大颗粒的影响.结果表明,偏压对大颗粒的影响主要来自电场的排斥作用.直流偏压下,等离子体鞘层基本稳定,电子对大颗粒表面充电能力很弱,而脉冲偏压下,由于鞘层厚度不断变化,大颗粒不断进出于鞘层,电子对大颗粒表面的充电能力强,使其所带负电荷明显增多,受到基体的排斥力变大,大颗粒不易沉积到基体而使薄膜形貌得到有效改善.
孙超1，林国强2，董闯2，黄美东2，闻立时1
(1.中国科学院金属研究所,沈阳,110016;
2.大连理工大学三束实验室,大连,116024)
摘要:在不同偏压下用电弧离子镀沉积TiN薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面大颗粒污染情况,并分析偏压对大颗粒的影响.结果表明,偏压对大颗粒的影响主要来自电场的排斥作用.直流偏压下,等离子体鞘层基本稳定,电子对大颗粒表面充电能力很弱,而脉冲偏压下,由于鞘层厚度不断变化,大颗粒不断进出于鞘层,电子对大颗粒表面的充电能力强,使其所带负电荷明显增多,受到基体的排斥力变大,大颗粒不易沉积到基体而使薄膜形貌得到有效改善.
关键词:偏压; 电弧离子镀; Tin薄膜; 表面形貌;
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