热处理对Ta/Ni0.65Co0.35薄膜微结构和磁电阻性能的影响
来源期刊：工程科学学报2009年第3期
论文作者：王立锦 陈连康 郭歌 王云蛟 于亚多 于广华
文章页码：362 - 752
关键词：各向异性磁电阻(AMR);薄膜材料;织构;传感器;灵敏度;
摘 要：选用磁致伸缩系数接近于零的软磁合金Ta/Ni0.65Co0.35作为磁敏感层,研究了热处理对Ta/Ni0.65Co0.35薄膜织构、磁学性能和磁电阻性能的影响.制备了Barber电极结构的磁电阻元件,对磁电阻元件的输出特性进行了测试.结果表明:真空退火可以有效降低薄膜内的应力和杂质缺陷,使晶粒尺寸增大,晶界对传导电子的散射减少,各向异性磁电阻(AMR)值提高;真空磁场退火有利于提高薄膜的单轴各向异性,使薄膜的AMR值和磁传感器元件的灵敏度增加.
王立锦1，陈连康1，郭歌1，王云蛟2，于亚多2，于广华1
1. 北京科技大学材料科学与工程学院2. 河北师范大学物理科学与信息工程学院
摘 要：选用磁致伸缩系数接近于零的软磁合金Ta/Ni0.65Co0.35作为磁敏感层,研究了热处理对Ta/Ni0.65Co0.35薄膜织构、磁学性能和磁电阻性能的影响.制备了Barber电极结构的磁电阻元件,对磁电阻元件的输出特性进行了测试.结果表明:真空退火可以有效降低薄膜内的应力和杂质缺陷,使晶粒尺寸增大,晶界对传导电子的散射减少,各向异性磁电阻(AMR)值提高;真空磁场退火有利于提高薄膜的单轴各向异性,使薄膜的AMR值和磁传感器元件的灵敏度增加.
关键词：各向异性磁电阻(AMR);薄膜材料;织构;传感器;灵敏度;
