SiC_f/Ti65复合材料界面反应与基体相变机理

王超^1,2，张旭¹，王玉敏¹，杨青¹，杨丽娜¹，张国兴¹，吴颖¹，孔旭¹，杨锐¹

1. 中国科学院金属研究所2. 中国科学技术大学材料科学与工程学院

摘 要：采用磁控溅射先驱丝法并结合热等静压技术制备了SiC_f/Ti65复合材料,对其在650、750、800和900℃进行了长时间热暴露实验。结果表明,热等静压和热暴露过程中,SiC_f/Ti65复合材料内部各元素同时参与界面互扩散和基体相变扩散。热等静压后,SiC_f/Ti65复合材料界面反应层产物主要为TiC,基体中相变产物为等轴的（Zr, Nb）₅Si₄。热暴露过程中,界面反应逐渐生成了Ti₅Si₃和（Zr, Nb）₅Si₄,基体相变则有了Ti₃（Al, Sn）C和TiC生成。SiC_f/Ti65复合材料反应层长大激活能为93 kJ/mol,该材料界面可以在650℃及以下温度长时间保持稳定。

关键词：钛基复合材料;SiC纤维;界面反应;元素扩散;基体相变;