AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：李存才 胡建 李爱珍 林春 郑燕兰
关键词：AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱; PL强度; 激光器;
摘 要：用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽,AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分,多量子阱中的阱数等,来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度.
李存才1，胡建1，李爱珍1，林春1，郑燕兰1
(1.中国科学院信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所,上海200050)
摘要:用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽,AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分,多量子阱中的阱数等,来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度.
关键词:AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱; PL强度; 激光器;
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