基底沉积温度对WO3薄膜电致变色特性的影响
来源期刊：宇航材料工艺2007年第5期
论文作者：舒远杰 王怀义 张金伟 刁训刚 黄俊
关键词：低温; 三氧化钨; 电致变色; 非晶态;
摘 要：分别在室温和基片温度低于223 K的条件下,采用直流反应磁控溅射法制备WO3薄膜.对两种条件下制备的薄膜晶体结构、透射光谱特性及电致变色性能进行对比分析.结果表明,低温沉积有利于WO3薄膜非晶化,使得Li+的抽取更加容易,进而显示出良好的变色性能.低温制备的WO3薄膜在可见光400～800 nm范围内着色态和漂白态平均透光率差值达70%以上,在690 nm处的着色系数达到了48.7 cm2/C,具有良好的变色效率.
舒远杰1，王怀义2，张金伟2，刁训刚2，黄俊2
(1.中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳,621900;
2.北京航空航天大学,北京,100083)
摘要:分别在室温和基片温度低于223 K的条件下,采用直流反应磁控溅射法制备WO3薄膜.对两种条件下制备的薄膜晶体结构、透射光谱特性及电致变色性能进行对比分析.结果表明,低温沉积有利于WO3薄膜非晶化,使得Li+的抽取更加容易,进而显示出良好的变色性能.低温制备的WO3薄膜在可见光400～800 nm范围内着色态和漂白态平均透光率差值达70%以上,在690 nm处的着色系数达到了48.7 cm2/C,具有良好的变色效率.
关键词:低温; 三氧化钨; 电致变色; 非晶态;
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