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AgGaS2晶体生长过程中的过冷度研究

来源期刊：功能材料2004年增刊第1期

论文作者：朱世富张伟黎明张建军陈宝军赵北君刘敏文李一春刘娟

关键词：硫镓银; 单晶生长; 过冷度;

摘要：根据熔体生长系统中相变驱动力的基础理论,针对AgGaS2过冷度较大的特点,采用自发成核后升温熔料、下降安瓿后上提熔料以及加类籽晶等工艺研究了AgGaS2晶体生长过程中因过冷度大而难于生长较大尺寸单晶体的问题,生长出了外形完整、无裂纹的尺寸达φ15mm×20mm的较高质量AgGaS2单晶体.

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朱世富¹，张伟¹，黎明¹，张建军¹，陈宝军¹，赵北君¹，刘敏文¹，李一春¹，刘娟¹

(1.四川大学,材料科学系,四川,成都,610064)

摘要:根据熔体生长系统中相变驱动力的基础理论,针对AgGaS2过冷度较大的特点,采用自发成核后升温熔料、下降安瓿后上提熔料以及加类籽晶等工艺研究了AgGaS2晶体生长过程中因过冷度大而难于生长较大尺寸单晶体的问题,生长出了外形完整、无裂纹的尺寸达φ15mm×20mm的较高质量AgGaS2单晶体.

关键词:硫镓银; 单晶生长; 过冷度;

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