SiH4射频放电功率耗散机制的光发射研究
来源期刊：功能材料2000年第2期
论文作者：林揆训 石旺舟 林璇英 姚若河 黄翀
关键词：SiH; 射频辉光放电; 功率耗散; 光发射谱;
摘 要：采用OMA-4000测量了SiH4射频辉光放电等离子体的光发射谱,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系.发现在放电射频功率增加和反应气体流量升高的过程中,其等离子体状态分别发生性质不同的转变,这种转变联系到射频功率耗散机制的变化.当反应气体流量增加时,电子获得能量的机制由阴极暗区加速转变为等离子体内电场的加热效应;而在放电功率升高的过程中,离子轰击阴极产生二次电子发射效应导致了光发射谱强度急剧增强的转变.
林揆训1，石旺舟1，林璇英1，姚若河1，黄翀1
(1.汕头大学非晶半导体实验室,广东 汕头515063)
摘要:采用OMA-4000测量了SiH4射频辉光放电等离子体的光发射谱,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系.发现在放电射频功率增加和反应气体流量升高的过程中,其等离子体状态分别发生性质不同的转变,这种转变联系到射频功率耗散机制的变化.当反应气体流量增加时,电子获得能量的机制由阴极暗区加速转变为等离子体内电场的加热效应;而在放电功率升高的过程中,离子轰击阴极产生二次电子发射效应导致了光发射谱强度急剧增强的转变.
关键词:SiH; 射频辉光放电; 功率耗散; 光发射谱;
【全文内容正在添加中】
