SiC_p/Cu电子封装材料研究进展

来源期刊：材料导报2013年第19期

论文作者：刘猛 李顺 白书欣 赵恂 熊德赣

文章页码：130 - 134

关键词：电子封装材料;SiCp/Cu;制备方法;界面反应;界面调控;

摘    要：详细介绍了SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法及应用情况,目前国内外SiCp/Cu电子封装材料的主要制备方法有粉末冶金法、放电等离子烧结法、无压浸渗法、压力浸渗法和反应熔渗法,其中包覆粉末热压烧结法和压力浸渗法是目前研发应用较广泛的两种方法。分析了SiC与Cu之间的界面反应机理,并指明SiCp/Cu电子封装材料的制备要解决的主要问题就是在SiC与Cu之间设置界面阻挡层,进而详细阐述了SiCp/Cu电子封装材料主要界面改性方法及其调控效果,并指出目前应用最好的两种方法是物理气相沉积法和化学气相沉积法。